特許

J-GLOBAL ID：200903014251329792

半導体デバイス平坦化の研磨方法

発明者： 吉田 明利 ,  田中 弘明 ,  水野 秀樹
出願人/特許権者： スピードファム株式会社
代理人 (1件)： 田中 宏 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-318275
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135601
出願日： 1999年11月09日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【目的】鏡面仕上げを施したシリコンウェーハの表面に回路パターンを形成してゆく半導体デバイス製造工程における多層配線基板の平坦化を行なうための効率的研磨方法を提供する。【構成】少なくとも層間絶縁膜と、バリアメタル膜と、銅または銅を主体とする合金からなる金属膜とが共存する半導体デバイスの表面を、定盤と研磨用組成物のスラリーとの作用によって平坦化を行なう研磨方法において、銅または銅を主体とする合金からなる金属膜の研磨を、酸化剤と研磨用組成物全体に対する濃度が5重量%以下の砥粒とを必要成分として含む研磨用組成物のスラリーを用いて行ない、次いで、層間絶縁膜と、バリアメタル膜と、銅または銅を主体とする合金からなる膜とが共存する複合面の研磨を、酸化剤と研磨用組成物全体に対する濃度が1〜40重量%の砥粒とを必要成分として含む研磨用組成物のスラリーを用いて行ない、しかも、前記2工程を、同一研磨定盤上で一貫して行なうことを特徴とする半導体デバイス平坦化の研磨方法を提供する。

請求項（抜粋）：

少なくとも層間絶縁膜と、バリアメタル膜と、銅または銅を主体とする合金からなる金属膜とが共存する半導体デバイスの表面を、定盤と研磨用組成物のスラリーとの作用によって平坦化を行なう研磨方法において、銅または銅を主体とする合金からなる金属膜の研磨を、酸化剤を必須成分として含み、更に研磨用組成物全体に対する濃度が5重量%以下の砥粒を含む研磨用組成物のスラリーを用いて行ない、次いで、層間絶縁膜と、バリアメタル膜と、銅または銅を主体とする合金からなる膜とが共存する複合面の研磨を、酸化剤と研磨用組成物全体に対する濃度が1〜40重量%の砥粒とを必須成分として含む研磨用組成物のスラリーを用いて行ない、しかも、前記2工程を、同一研磨定盤上で一貫して行なうことを特徴とする半導体デバイス平坦化の研磨方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  C09K 3/14 550 ,  C09K 3/14 ,  C09K 13/00

FI (5件)：

H01L 21/304 622 D ,  H01L 21/304 622 X ,  C09K 3/14 550 D ,  C09K 3/14 550 Z ,  C09K 13/00