特許

J-GLOBAL ID：200903014252152063

量子ドットの製造方法及び量子ドット装置

発明者： 中島 安理
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-257409
公開番号（公開出願番号）：特開平9-102596
出願日： 1995年10月04日
公開日（公表日）： 1997年04月15日
要約：

【要約】【課題】 量子ドットの製造方法及び量子ドット装置に関し、簡単な製造工程によって短時間に量子ドットを安定に形成すると共に、多層構造の量子ドット装置を容易に作製する。【解決手段】 化学気相成長法を用いて多結晶IV族半導体薄膜の堆積初期過程におけるIV族半導体核が形成される時間だけ少なくとも堆積を行うことにより絶縁膜1,5上にIV族半導体量子ドット2を形成する。

請求項（抜粋）：

化学気相成長法を用いて多結晶IV族半導体薄膜の堆積初期過程におけるIV族半導体核が形成される時間だけ少なくとも堆積を行うことによりIV族半導体量子ドットを形成したことを特徴とする量子ドットの製造方法。

IPC (10件)：

H01L 29/06 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/66 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 33/00

FI (8件)：

H01L 29/06 ,  C23C 16/52 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/316 X ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/66 ,  H01L 33/00 A ,  H01L 29/78 371