特許

J-GLOBAL ID：200903014258068382

ウエハ装置およびチップ装置並びにチップ装置の製造方法

発明者： 島崎 新二
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 松村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-233975
公開番号（公開出願番号）：特開2000-068271
出願日： 1998年08月20日
公開日（公表日）： 2000年03月03日
要約：

【要約】【課題】 チップサイズパッケージ(CSP)の製造を簡単に行うことを可能にし、しかも小型化によって熱収縮による影響を低減させる。【解決手段】 シリコンウエハ9の表面のAlパッド10に対して、Au突起12を形成し、次に、シリコンウエハ9の表面に第1樹脂13による層を形成し、次に、第1樹脂13の表面をAu突起12の先端が具現するまで研磨し、次に、第1樹脂13の表面に、一端がAu突起12に接合しており、他端が第1樹脂13の表面にマトリクス状に配置するように導電層14を形成し、次に、導電層14の他端部に導電突起15を形成し、次に、第1樹脂13の層の表面に第2樹脂16による層を形成し、最後に、第2樹脂16の表面を、導電突起15の先端が具現するまで研磨して、第2樹脂16の層の表面を平坦な面にすることによりウエハ装置を製造する。このウエハ装置を切断することにより、チップ装置を製造する。

請求項（抜粋）：

表面を複数の区画に分割し、各区画上に薄膜回路を形成してなるウエハ基板と、区画の縁部に形成された前記薄膜回路の複数の電極パッド上にそれぞれ形成した導電性の第1突起と、これら第1突起の先端部が表面から露出するように前記ウエハ基板上を被覆する第1絶縁層と、この第1絶縁層上に形成され、一端を前記第1突起に接合させ、他端を所定位置まで延在させて、各第1突起に対応する他端部を前記区画内に分散させて配置した導電層と、この導電層の他端部にそれぞれ形成した導電性の第2突起とから構成したことを特徴とするウエハ装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/12

FI (5件)：

H01L 21/88 T ,  H01L 21/78 Q ,  H01L 21/92 602 Z ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 23/12 L

Fターム (7件)：

5F033AA65 ,  5F033AA66 ,  5F033BA12 ,  5F033BA16 ,  5F033CA01 ,  5F033DA17 ,  5F033EA29