特許

J-GLOBAL ID：200903014258123936

半導体装置のキャパシタ-の形成方法

発明者： 廉 勝振
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 三枝 英二 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-179995
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058770
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：

【要約】【課題】有機物溶剤を用いてスピンコーティング又はLSMCD方法で強誘電体薄膜を形成する場合において強誘電体薄膜の表面に気孔の発生を防止できる半導体装置のキャパシターの形成方法を提供する。【解決手段】本発明は、半導体装置製造分野に関し、特に強誘電体薄膜の表面特性を向上させることができる半導体装置のキャパシターの形成方法に関するものであり、キャパシターの下部電極を形成する第1段階と、上記下部電極上に有機溶剤に溶解した金属有機物を使用して強誘電体薄膜を形成する第2段階と、上記有機溶剤を揮発させるための焼付け工程を実施する第3段階と、上記強誘電体薄膜の構成元素と結びついた有機物を除去するための急速熱処理を実施する第4段階と、上記強誘電体薄膜を結晶化するために熱処理する第5段階と、上記強誘電体薄膜上に上部電極を形成する第6段階とを含む。

請求項（抜粋）：

半導体装置のキャパシター形成方法において、キャパシターの下部電極を形成する第1段階と、上記下部電極上に、有機溶剤に溶解した金属有機物を使用して強誘電体薄膜を形成する第2段階と、上記有機溶剤を揮発させるための焼付け工程を実施する第3段階と、上記強誘電体薄膜の構成元素と結びついた有機物を除去するための急速熱処理を実施する第4段階と、上記強誘電体薄膜を結晶化するために熱処理する第5段階と、上記強誘電体薄膜上に上部電極を形成する第6段階とを含む半導体装置のキャパシターの形成方法。

IPC (8件)：

H01L 27/10 451 ,  H01G 4/33 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/92

FI (6件)：

H01L 27/10 451 ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 29/92 Z ,  H01G 4/06 102 ,  H01L 27/04 C ,  H01L 27/10 651