特許

J-GLOBAL ID：200903014258228940

炭素または炭素を主成分とする被膜

発明者： 伊藤 健二
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-197516
公開番号（公開出願番号）：特開平7-102377
出願日： 1988年03月02日
公開日（公表日）： 1995年04月18日
要約：

【要約】【目的】 保護膜として用いて剥離等のない炭素被膜を提供する。【構成】 一対の電極12と11との間に被形成面を配置し、例えば高周波供給電力を徐々に変化させることによって、被形成面から連続的にあるいは徐々に硬度を高くする。こうして、得られた炭素または炭素を主成分とする被膜は、被形成面から連続的にあるいは徐々に硬度の高い構造を有しており、被形成面との密着性に優れ、また同時に保護膜として硬度の高い膜となる。

請求項（抜粋）：

被形成面上に形成された炭素を主成分とする被膜であって、前記被膜はその表面に向かって連続的に硬度が高められていることを特徴とする炭素または炭素を主成分とする被膜。

IPC (6件)：

C23C 16/26 ,  C01B 31/02 101 ,  C01B 31/04 101 ,  C23C 16/30 ,  C23C 16/50 ,  C30B 29/04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭61-073882
  
• 特開昭60-184681