特許

J-GLOBAL ID：200903014266665004

集束イオンビーム装置

発明者： 藤井 利昭
出願人/特許権者： セイコーインスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 林 敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-010684
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209158
出願日： 1997年01月23日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】 集束イオンビーム照射とガスの吹き付けにより、試料表面に任意の位置・形状のパターンを形成する装置においてガスを安全に処理することのできる装置。【解決手段】 集束イオンビームを偏向走査する偏向電極、試料を載置するX-Yステージ、試料の集束イオンビーム照射位置表面にガスを局所的に吹き付けるためのガス銃、二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器と、真空容器を真空にする真空排気装置と、真空排気装置と真空容器を加熱する加熱機構から構成する。

請求項（抜粋）：

真空ポンプを用いて真空状態にされている真空容器に、少なくとも液体金属イオン源と引き出されたイオンビームを集束するための集束レンズ系と前記イオンビームを試料上でオン/オフするためのブランキング電極とからなる集束イオンビーム発生部と、前記集束イオンビームを偏向走査するための偏向電極と、前記集束イオンビームが照射される試料を載置し移動可能な試料ステージと、前記試料の集束イオンビーム照射位置表面にガスを局所的に吹き付けるためのガス銃と、前記集束イオンビームを照射することにより発生する二次荷電粒子を検出する二次荷電粒子検出器とが装着され、前記集束イオンビームの照射領域またはその近傍にガスを吹き付けると同時に、前記試料表面に前記集束イオンビームを所定領域で所定回数繰り返して走査させ照射することにより、前記ガスを分解または活性化させ、前記ガスを分解させることにより発生した物質または活性化されたガスの性質を用いて前記試料表面を加工することにより、前記試料表面にパターンを形成する装置において、真空容器に接続された真空ポンプ及び配管の一部または全ての加熱機構がついていることを特徴とする集束イオンビーム装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/302

FI (5件)：

H01L 21/88 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/30 502 W ,  H01L 21/302 Z