特許

J-GLOBAL ID：200903014267205120

インプロセス薄膜分析装置

発明者： 銭谷 福男 ,  田村 正志
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 竹本 松司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-136612
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330187
出願日： 1998年05月19日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：

【要約】【課題】 成膜プロセス中(インプロセス)の薄膜の評価を行い、また、評価用のダミー試料を用いることなく薄膜の評価を行う。【解決手段】 成膜プロセス中に薄膜に対して電子線を照射し、該電子線の照射によって薄膜から放出される特性X線を検出することによって薄膜評価を行う分析装置であり、電子線照射系2とX線検出系3とを含む分析部を一つのフランジ4に組み込んで一体構成とすることによって、成膜プロセス中(インプロセス)の薄膜の評価(成膜状態の評価)を可能とする。

請求項（抜粋）：

電子線照射系とX線検出系とを一つのフランジに組み込んで一体構成とする分析部を備え、前記分析部は、フランジによって電子線照射系とX線検出系とを成膜プロセス経路上に一体で取り付け、成膜プロセス中の薄膜分析を可能とする、インプロセス薄膜分析装置。

IPC (6件)：

H01L 21/66 ,  G01N 23/225 ,  G21K 5/04 ,  H01J 37/252 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205

FI (6件)：

H01L 21/66 Z ,  G01N 23/225 ,  G21K 5/04 M ,  H01J 37/252 A ,  H01L 21/203 Z ,  H01L 21/205