特許
J-GLOBAL ID：200903014270117410
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-336646
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201877
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】遮断周波数fT の向上を犠牲にすることなく寄生容量を低減できる構造のバイポーラトランジスタを提供する。【構成】積層絶縁膜107Aの中間層であるシリコン窒化膜152Aに設けられた開口部143Aの側壁に、P+ 型多結晶シリコン膜122Aが設けられている。真性ベース領域をなすP- 型単結晶シリコン層121Aは、膜厚の薄いP+ 型多結晶シリコン膜123Aにより、ベース引き出し電極であるP+ 型多結晶シリコン膜111に接続される。
請求項（抜粋）：
上面の少なくとも一部が逆導電型のシリコンエピタキシャル層により覆われた逆導電型の埋め込み層を表面に選択的に有する一導電型の単結晶シリコン基板と、前記シリコンエピタキシャル層に達する第1の開口部を有して前記単結晶シリコン基板表面上に設けられた第1のシリコン酸化膜と、前記第1の開口部に接続されて該第1の開口部を内包する姿態を有した第2の開口部を有し、前記第1のシリコン酸化膜表面上に設けられたシリコン窒化膜と、前記第2の開口部に接続されて前記第1の開口部と同形の第3の開口部を有し、前記シリコン窒化膜表面上に設けられた第2のシリコン酸化膜と、少なくとも下層が一導電型の第1の多結晶半導体膜からなり、前記第3の開口部端部から所定幅のせり出しを有して該第3の開口部に内包される姿態を有した第4の開口部を有し、少なくとも該第3の開口部周辺の前記第2のシリコン酸化膜表面上に設けられたベース引き出し電極と、前記第4の開口部を有して前記ベース引き出し電極を直接に覆う第4のシリコン酸化膜と、前記第4の開口部の側壁をなす前記ベース引き出し電極の側面並びに前記第4のシリコン酸化膜の側面を直接に覆う第5のシリコン酸化膜からなる第1のスペーサと、前記第2の開口部により露出された前記第1のシリコン酸化膜の上面および前記第2のシリコン酸化膜の底面を直接に覆い、前記第2の開口部の側壁をなす前記シリコン窒化膜の側面を直接に覆い、所望の幅を有して該第2の開口部内に設けられた一導電型の第2の多結晶半導体膜と、前記第3の開口部により露出された前記第1の多結晶半導体膜の底面に直接に接続され、該第3の開口部の側壁をなす前記第2のシリコン酸化膜の側面を直接に覆い、少なくとも該第3の開口部により露出された前記第2の多結晶半導体膜の上面と前記第2の開口部内に露出した該第2の多結晶半導体膜の側面の一部とに直接に接続された一導電型の第3の多結晶半導体膜と、前記第1の開口部により露出された前記シリコンエピタキシャル層の上面に直接に接続され、少なくとも前記第3の多結晶半導体膜の底面に直接に接続され、前記第2の多結晶半導体膜に接続され、少なくとも該第1の開口部の一部を充填する一導電型の第1の単結晶半導体層と、前記第1のスペーサの側面の少なくとも一部,前記第3の開口部により露出された該第1のスペーサの底面,および少なくとも前記第2の開口部並びに該第3の開口部内に露出された前記第3の多結晶半導体膜の側面を直接に覆い、該第2の開口部内に露出された前記第1の単結晶半導体層の上面の一部を直接に覆う第5のシリコン酸化膜からなる第2のスペーサと、前記第2のスペーサの側面の少なくとも一部を直接に覆い、該第2のスペーサに覆われていない前記第1の単結晶半導体層の上面に直接に接続された逆導電型の第2の単結晶半導体層とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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