特許

J-GLOBAL ID：200903014279322742

整流素子

発明者： 山下 暢彦 ,  松本 聡 ,  谷内 利明
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 長尾 常明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-332514
公開番号（公開出願番号）：特開平9-153628
出願日： 1995年11月29日
公開日（公表日）： 1997年06月10日
要約：

【要約】【課題】 順方向電流が流れ始める順方向電圧を低くすると共に、逆方向電流を小さくすること。【解決手段】 SOI基板上のシリコン薄膜内の第1の半導体領域3と第3の半導体領域5をn形に、第2の半導体領域2をp形にし、半導体領域3とゲート電極8をアノード端子10に接続し、半導体領域5をカソード端子11に接続した。

請求項（抜粋）：

第1の主面側に埋込み絶縁層を有する支持基板と、第1の導電形の第1の半導体領域、該第1の半導体領域に隣接し第1の導電形と反対の第2の導電形の第2の半導体領域、および該第2の半導体領域に隣接すると共に上記第1の半導体領域と隣接しない第1の導電形の第3の半導体領域を有し、上記絶縁層上面に設けられた単結晶半導体膜と、上記第2の半導体領域の表面にゲート絶縁膜を介在して形成されたゲート電極と、上記第1の半導体領域の表面にオーミックコンタクトされた第1の配線用金属層と、上記第3の半導体領域の表面にオーミックコンタクトされた第2の配線用金属層とを具備し、上記ゲート電極と上記第1の配線用金属層とを共通接続してアノード端子とすると共に、上記第2の配線用金属層をカソード端子としたことを特徴とする整流素子。

IPC (4件)：

H01L 29/861 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/786

FI (4件)：

H01L 29/91 L ,  H01L 27/12 Z ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/78 622