特許

J-GLOBAL ID：200903014281113727

半導体装置

発明者： 加藤 宏
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-202458
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026260
出願日： 2000年07月04日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 外部電源投入時において、内部電源電位の立上がりを安定的に高速化できる半導体装置を提供する。【解決手段】 電圧発生回路100は、元参照電位信号Vr0および参照電位信号Vr1をそれぞれ生成する元参照電位信号発生回路110および参照電位信号発生回路120と、参照電位信号Vr1に基づいて内部電源電位Vcc1の電位レベルを制御するアクティブVDC130とを備える。起動制御回路150-1,150-2は、外部電源の起動から元参照電位信号Vr0および参照電位信号Vr1が所定値に到達するまでの期間、電圧発生回路100を高速に動作させるために制御信号ALV1,ALV2をそれぞれ活性化する。起動制御回路150-1,150-2は、元参照電位信号Vr0および参照電位信号Vr1を用いずに外部電源の起動を検知する。

請求項（抜粋）：

第1の外部電源から第1の外部電源電位の供給を受けて動作する半導体装置であって、前記第1の外部電源電位を伝達する第1の外部電源配線と、前記第1の外部電源配線から受けた前記第1の外部電源電位を内部電源電位に変換して内部電源配線に供給する電圧発生回路とを備え、前記電圧発生回路は、前記第1の外部電源配線から前記第1の外部電源電位を受けて、前記内部電源電位の設定電位レベルに応じた参照電位信号を第1の中間ノードに生成する参照電位発生部と、前記内部電源配線の前記第1の中間ノードに対する電位レベル差に応じた電流量を前記外部電源配線から前記内部電源配線に供給する電圧変換回路と、第1の制御信号の活性化期間中において、前記電圧変換回路に対して第1の動作電流を供給する第1の電流供給回路と、前記第1の外部電源が起動されてから前記内部電源配線の電位レベルが所定レベルに到達するまでの間、前記第1の制御信号を活性化する第1の起動制御回路とを含み、前記第1の起動制御回路は、前記第1の中間ノードとは独立した第1の基準ノードと前記内部電源配線との電位レベルの比較によって、前記第1の外部電源の前記起動を検知し、前記第1の基準ノードは、前記参照電位信号の生成とは独立した第1の直流電位を伝達し、前記内部電源配線から前記内部電源電位を受けて動作する内部回路をさらに備える、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  G05F 1/56 310

FI (2件)：

G05F 1/56 310 J ,  H01L 27/04 B

Fターム (23件)：

5F038AV06 ,  5F038BB01 ,  5F038BB04 ,  5F038BB08 ,  5F038CD02 ,  5F038DF01 ,  5F038DF06 ,  5F038DF08 ,  5F038EZ20 ,  5H430BB01 ,  5H430BB05 ,  5H430BB09 ,  5H430BB11 ,  5H430CC06 ,  5H430EE06 ,  5H430EE07 ,  5H430FF01 ,  5H430FF13 ,  5H430GG08 ,  5H430HH03 ,  5H430HH05 ,  5H430KK03 ,  5H430KK05

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体メモリ装置の定電圧発生回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-163080   出願人：三星電子株式会社
• 特開平3-246961
  
• 特開昭62-248015