特許
J-GLOBAL ID：200903014284195791
電界放射型電子源及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-102744
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298068
出願日： 1995年04月26日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：
【要約】【目的】 リフトオフプロセスを用いることなく、急峻な形状のエミッタ電極を有していると共にエミッタ電極とゲート電極との間隔がサブミクロンの精度で制御可能である電界放射型電子源を提供する。【構成】 金属又は半導体よりなる導電性基板10の上には、段差部11を介して低部表面12と高部表面13とが形成されており、高部表面13と段差部11との間に形成される鋭角な突出部14が陰極となる。高部表面13の上にはゲート絶縁膜15Aを介してゲート電極16Aが形成されている。陰極に対して正の電界をゲート電極16Aに印加すると、陰極である直線状の突出部14から電子が放射される。突出部14と対向するように設けられた図示しない陽極に、ゲート電極16Aに印加される電圧よりも高い正の電圧を印加することにより、陰極から放射された電子の大部分を陽極に到達させることができる。
請求項（抜粋）：
基板上に段差部を介して形成された導電性の高部表面と、前記高部表面と前記段差部との角部に形成された陰極と、前記高部表面の上に絶縁層を介して形成され、前記陰極と対向し且つ前記陰極と電気的に絶縁されている電極とを備え、前記陰極と前記電極との間に電圧が印加されると前記陰極から電子を放射することを特徴とする電界放射型電子源。
IPC (4件)：
H01J 1/30
, H01J 9/02
, H01J 19/24
, H01S 3/0959
H01J 1/30 B
, H01J 1/30 Z
, H01J 9/02 B
, H01J 19/24
, H01S 3/09 C
