特許

J-GLOBAL ID：200903014285823656

強誘電体メモリ

発明者： 安達 日出夫
出願人/特許権者： オリンパス光学工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-042783
公開番号（公開出願番号）：特開平5-089661
出願日： 1991年02月15日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】本発明は、ヒステリシス損失による熱が隣接したメモリセルに伝わり焦電効果によって他のメモリセルの分極状態まで破壊するのを回避することを主要な目的とする。【構成】基板と、この基板上に形成された強誘電体層と、この誘電体層の両面に互いに交差するように形成されたストライプ状上部・下部電極とを具備し、強誘電体層の材料が、焦電効果によってメモリセルから発生する電圧が抗電界の2分の1より小さい材料であることを特徴とする強誘電体メモリ。

請求項（抜粋）：

基板と、この基板上に形成された強誘電体層と、この誘電体層の両面に互いに交差するように形成されたストライプ状上部・下部電極とを具備して複数のメモリセルがマトリクス状に形成され、ヒステリシスカ-ブでの正負の残留分極に対応した2値をバイナリ-信号とした強誘電体メモリにおいて、前記強誘電体層の材料は、焦電効果によってメモリセルから発生する電圧が抗電界の2分の1より小さい材料であることを特徴とする強誘電体メモリ。