特許
J-GLOBAL ID：200903014286046190
光電変換素子とその駆動方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-330293
公開番号（公開出願番号）：特開平7-193205
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】入射光吸収を最大にする最適な光学特性を達成しつつ、フォトダイオード容量を増大する光学変換素子および駆動方法を提供する。【構成】フォトダイオード(白金シリサイド1-p型シリコン基板2のショットキダイオード)-反射板7間に透明電極13を形成する。光は裏面り入射し、白金シリサイド膜に腹が来るように反射板7が形成され、入射光を有効に吸収する。透明電極は白金シリサイド膜に対抗して、反射板よりも近くに形成される。この透明電極-白金シリサイド膜間容量はフォトダイオード容量として利用する。入射光の吸収という光学的特性を最適化する反射板と、フォトダイオード容量を決定する透明電極に個別に形成しているので、光学的に最適な厚さを確保しつつフォトダイオード容量を増大する光学変換素子を提供することができる。
請求項（抜粋）：
フォトダイオード上に絶縁膜を介して入射光を反射する反射板が設置された裏面照射型光電変換素子に於て、フォトダイオード-反射板間に透明電極を形成したことを特徴とする光電変換素子。
引用特許：
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