半導体レーザ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-184382
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032367
出願日： 1996年07月15日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】半導体レーザ及び製造方法に関し、サファイア基板の劈開を利用して短波長半導体レーザの共振器面を形成する。【解決手段】サファイア基板1の主面をd面2にすると共に、出射端面側のサファイア基板1の端面をr面4とし、且つ、GaN系化合物半導体層3の共振器面を{11-20}面5とする。

請求項（抜粋）：

サファイア基板上にGaN系化合物半導体層を積層させた半導体レーザにおいて、前記サファイア基板の主面をd面にすると共に、出射端面側の前記サファイア基板の端面をr面とし、且つ、前記GaN系化合物半導体層の共振器面を{11-20}面としたことを特徴とする半導体レーザ。

IPC (3件)：

H01S 3/18 , H01L 27/12 , H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 , H01L 27/12 S , H01L 33/00 C

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