特許

J-GLOBAL ID：200903014290590252

複合半田材料

発明者： 小柏 俊典
出願人/特許権者： 田中電子工業株式会社
代理人 (1件)： 早川 政名
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-277479
公開番号（公開出願番号）：特開平9-122967
出願日： 1995年10月25日
公開日（公表日）： 1997年05月13日
要約：

【要約】【課題】半田材料内部に固体粒子を分散させることで半導体素子を基板やリードフレームに水平に接合し得、且つ選定された半田材料の液相線温度近くの低温度で溶融接合して半導体素子や基板のそり,半田材料の残留歪を抑制出来、さらにボイド生成を抑制して接合強度の低下を防止し得る複合半田材料を提供する。【解決手段】Sn,Pb,In等をベース金属とする半田材料中に、固体粒子として平均粒径1〜30μm、(短径/長径)が0.4〜1.0の金属間化合物粒子を、0.01〜1.0容量%含有してなる半導体素子接合用複合半田材料。

請求項（抜粋）：

半田材料に固体粒子として平均粒径が1〜30μmの金属間化合物粒子を0.01〜1.0容量%含有してなることを特徴とする半導体素子接合用複合半田材料。

IPC (4件)：

B23K 35/24 310 ,  B23K 35/14 ,  B23K 35/40 340 ,  H01L 21/52

FI (4件)：

B23K 35/24 310 ,  B23K 35/14 Z ,  B23K 35/40 340 H ,  H01L 21/52 E