特許
J-GLOBAL ID：200903014292802613
窒化物半導体発光ダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-217594
公開番号（公開出願番号）：特開平9-064421
出願日： 1995年08月25日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：
【要約】【目的】 窒化物半導体よりなるLED実現するにあたり、外部量子効率の低下を少なくして、発光チップの放熱性のよいLEDを実現する。【構成】 発光チップの透明基板の第一の主面側に発光層を含む窒化物半導体が形成され、第二の主面側に発光層の光を反射する反射膜が形成されており、反射膜を有する第二の主面と支持体とが金属を含む熱伝導率の良い導電性材料で接続されていることにより、反射膜で発光層の光を反射して、導電性材料で放熱効果を高める。
請求項（抜粋）：
第一の主面と第二の主面とを有する透明基板の第一の主面側に発光層を含む窒化物半導体が形成され、かつ第二の主面側に発光層の光を反射する反射膜が形成されており、前記反射膜を有する第二の主面と支持体とが金属を含む導電性材料で接続されていることを特徴とする窒化物半導体発光ダイオード。
FI (2件)：
H01L 33/00 N
, H01L 33/00 C
