特許
J-GLOBAL ID：200903014294684723
燐酸処理方法及び燐酸処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-218237
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064878
出願日： 1996年08月20日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：
【要約】【課題】 燐酸処理方法及び燐酸処理装置に関し、燐酸とシリコン窒化膜との化学反応生成物であるポリシロキサンを、簡単な方法によって除去する。【解決手段】 シリコン窒化膜の除去に伴って発生するポリシロキサン5が過飽和或いは飽和状態で溶解している燐酸溶液2を収容した処理槽1内に、少なくとも表面がテフロン3で構成された冷却用治具4を浸漬させることによって、テフロン3の表面にポリシロキサン5を析出させる。
請求項（抜粋）：
シリコン窒化膜の除去に伴って発生するポリシロキサンが過飽和或いは飽和状態で溶解している燐酸溶液を収容した処理槽内に、少なくとも表面がテフロンで構成された冷却用治具を浸漬させることによって、前記テフロンの表面にポリシロキサンを析出させることを特徴とする燐酸処理方法。
FI (2件)：
H01L 21/306 E
, H01L 21/306 J
