特許

J-GLOBAL ID：200903014297124320

酸素注入によって形成された複数の厚さのゲート酸化物

発明者： キング, ヤ-チン ,  キング, ツ-ジャエ ,  フー, チェン ミン
出願人/特許権者： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-586978
公開番号（公開出願番号）：特表2002-531962
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2002年09月24日
要約：

【要約】複数の厚さのゲート酸化物を形成するためのプロセスである。1実施形態において、酸素はパターニングされたフォトレジストマスクによってシリコン基板の選択された領域に犠牲酸化物を通して注入される。犠牲酸化物を剥がした後熱成長プロセスは、注入されていない領域より注入された領域により厚い酸化物を生成する。酸素注入された酸化物は優れた品質を有し、20Åまでの厚さの差が比較的低い酸素注入量で得ることができる。代替的プロセスにおいて、薄いゲート酸化物がポリシリコン層堆積より先に成長され得、続いて酸素がパターニングされたフォトレジストマスクによるポリシリコンを通して注入される。フォトレジストを剥がした後アニーリングによって注入された領域のゲート酸化物の厚さを増大する。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に複数の厚さの酸化物層を形成する方法であって、 a)該シリコン基板上に犠牲酸化物層を形成する工程と、 b)該シリコン基板の選択された第1の部分をさらすように、該シリコン基板上で注入マスク層をパターニングする工程と、 c)該犠牲酸化物層を通って該シリコン基板の該選択された第1の部分へ酸素を注入する工程と、 d)該シリコン基板から該注入マスク層を剥がす工程と、 e)該犠牲酸化物層を剥がす工程と、 f)該シリコン基板上に酸化物層を成長させる工程であって、該酸化物層は、酸素注入された酸化物領域および酸素注入されない酸化物領域を有する、工程と を包含する、方法。

IPC (4件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 21/316 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 27/08 102 C ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (20件)：

5F048AC01 ,  5F048BB05 ,  5F048BB11 ,  5F048BB16 ,  5F048BB18 ,  5F048DA00 ,  5F058BC02 ,  5F058BE07 ,  5F058BF55 ,  5F140AA00 ,  5F140AA19 ,  5F140AB01 ,  5F140AC32 ,  5F140BA01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD18 ,  5F140BE01 ,  5F140BE07 ,  5F140BF04 ,  5F140CB01