特許

J-GLOBAL ID：200903014310505567

半導体基板及び半導体基板の製造方法

発明者： 山田 宏
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-316200
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152305
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】本発明は、デバイス動作領域での汚染不純物と結晶欠陥の発生を防止した、高い清浄性とゲッタリング効果を有した半導体基板及び半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。【構成】本発明は、汚染不純物を含む板状の半導体基板1において、該半導体基板1の一方の表面1bから隔たった領域に、荷電粒子やラジカル粒子等の活性粒子の照射によって生成された結晶欠陥に基づく該汚染不純物を含む析出物を配している析出層2を有することを特徴とする半導体基板である。

請求項（抜粋）：

汚染不純物を含む板状の半導体基板において、該半導体基板の一方の表面から隔たった領域に、荷電粒子やラジカル粒子等の活性粒子の照射によって生成された結晶欠陥に基づく該汚染不純物を含む析出物を配している析出層を有することを特徴とする半導体基板。