薄膜半導体素子及び薄膜半導体装置ならびにその製造方法および製造装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-146865
公開番号（公開出願番号）：特開平9-330789
出願日： 1996年06月10日
公開日（公表日）： 1997年12月22日
要約：

【要約】【課題】マスクづれによる形成不良を排除し、真空槽を開くことなく一貫した製造工程が可能な薄膜半導体素子ならびに薄膜半導体装置の製造方法および製造装置と、すぐれた特性の薄膜半導体素子ならびに薄膜半導体装置を提供する。【解決手段】薄膜半導体素子の薄膜層1を、基板2から所定の距離だけ離れたマスク3に設けた開口部3Aに直角方向に通過した薄膜層材料11aの堆積で基板2上に形成させ、ついで基板2とマスク3の位置関係を保持しつつ保護封止材料12a、13aを、斜め角度θ12、θ13で開口部3Aを通過させて薄膜層1上および基板2上に成膜させ、保護封止材料12a、13aの薄膜層1上および基板2上への成膜の反復により、部分的に重畳して薄膜層1を覆う保護封止層5A、5Bを成膜形成させる。

請求項（抜粋）：

薄膜半導体素子の薄膜層を、基板から所定の距離だけ離れたマスクに設けた開口部に直角方向に通過した薄膜層材料の堆積で基板上に形成させ、ついで前記基板〜マスクの位置関係を保持しつつ保護封止材料を、斜め角度で前記開口部を通過させて前記薄膜層上および前記基板上に成膜させ、前記保護封止材料の前記薄膜層上および前記基板上への成膜の反復により、部分的に重畳して前記薄膜層を覆う保護封止層を成膜形成させることを特徴とする薄膜半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H05B 33/10 , G09F 13/22 , H05B 33/12

FI (3件)：

H05B 33/10 , G09F 13/22 , H05B 33/12

引用特許：

審査官引用 (9件)

有機電界発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-000876 出願人：積水化学工業株式会社
蒸着メッキ材の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-327847 出願人：株式会社神戸製鋼所
特開平4-212284

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