特許

J-GLOBAL ID：200903014314370640

薄膜磁気ヘツドおよび磁性薄膜の形成方法

発明者： 上原 裕二
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-274084
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114117
出願日： 1991年10月22日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【目的】 2つの磁極の磁気異方性の発生及び磁性膜の破断、クラックの発生を防止できる薄膜磁気ヘッド及び磁性薄膜の形成方法の提供を目的とする。【構成】 絶縁性基板1上に第1の磁極2、ギャップ層3、薄膜コイル4、絶縁膜5、および第2の磁極6がこの順に積層された薄膜ヘッドの第1,第2の磁極2,6を、バイアススパッタ法による膜と、フローティング法による膜を交互に積層した磁性層から構成する。磁極用の磁性薄膜は、基板電極にバイアス電圧を印加したバイアススパッタ法によりターゲット電極から非形成体に対してまず薄膜を形成し、次に基板電極をフローティングにしたフローティング法により、ターゲット電極からバイアススパッタ法で形成された薄膜上に更に積層して薄膜を形成し、これらバイアススパッタ法とフローティング法を交互に少なくとも2回繰り返して形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板(1)上に第1の磁極(2)、ギャップ層(3)、薄膜コイル(4)、絶縁膜(5)、および第2の磁極(6)がこの順に積層された薄膜ヘッドにおいて、前記第1,第2の磁極(2,6)を、バイアススパッタ法による膜と、フローティング法による膜を交互に積層した磁性層から構成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。