特許
J-GLOBAL ID：200903014318757310
表面取り付け及びフリップチップ技術
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大島 陽一 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-529014
公開番号（公開出願番号）：特表平9-500240
出願日： 1995年05月04日
公開日（公表日）： 1997年01月07日
要約：
【要約】集積回路チップは、その各部分に溝型絶縁部分を有する。ヒートシンクキャップ(100)が、基板の上面に形成されたダイヤモンド膜からなるパッシベーション層(96)に取り付けられている。パッシベーション層は、CVD法によって形成されたダイヤモンド膜からなり、電気的絶縁性と熱伝導性とを有する。フリップチップ型のウエハでは、上面側の電気的接続部(174a、174b)が、上面に設けられたパッシベーション層を貫通しヒートシンクキャップに達している。表面取り付け型のウエハでは、基板を貫通する開孔部がエッチングによって設けられており、この開孔部内には表面取り付けポスト部分(90a、90g)が形成されており、上面の電気的接続部に接触し、かつ基板裏面の電気的接続部と接触している。従って、フリップチップ型及び表面取り付け型の両方のウェハは、更にパッケージングを必要とせずに切断されて、集積回路ダイが形成される。
請求項（抜粋）：
集積回路であって、 主面を備えた半導体基板と、 前記半導体基板内に形成された複数の半導体デバイスと、 前記主面の上に形成され、かつ前記半導体基板デバイスと電気的に接続された導電性ラインのパターンと、 前記導電線ラインのパターンの少なくとも一部分の上に配置されたダイヤモンド膜と、 前記ダイヤモンド膜に接着され、かつ前記導電性ラインのパターンの上に配置された熱伝導性プレートと、 前記基板の前記主面から前記基板を貫通し前記基板の裏側面に達する複数の絶縁された溝とを有することを特徴とする集積回路。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 23/373
H01L 27/04 H
, H01L 23/36 M
