特許

J-GLOBAL ID：200903014323781385

半導体パッケージ

発明者： 富樫 亮
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (2件)： 押田 良隆 ,  押田 良輝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-226984
公開番号（公開出願番号）：特開2009-059962
出願日： 2007年08月31日
公開日（公表日）： 2009年03月19日
要約：

【課題】 高湿環境における半導体素子上電極の腐食を抑制し、電気的接合を長期間にわたり維持させることが可能な半導体パッケージの提供。【解決手段】 半導体パッケージ内部の半導体素子上電極と半導体パッケージ外部電極とを銅ボンディングワイヤで電気的に接続し、少なくとも半導体素子および銅ボンディングワイヤ全体を樹脂封止してなる半導体パッケージにおいて、銅ボンディングワイヤ中の塩素および硫黄の含有量をそれぞれ1質量ppm以下とし、かつ銅ボンディングワイヤと接続される電極の表面を銅と同等または銅よりも電位が高い金属もしくは合金で形成することを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体素子上電極と半導体パッケージ外部電極とを銅ボンディングワイヤで電気的に接続し、少なくとも半導体素子および銅ボンディングワイヤ全体を樹脂封止してなる半導体パッケージにおいて、銅ボンディングワイヤ中の塩素および硫黄の含有量がそれぞれ1質量ppm以下であり、かつ半導体パッケージ外部電極のうち前記銅ボンディングワイヤと接続される電極の表面、および半導体素子上電極のうち前記銅ボンディングワイヤと接続される電極の表面が銅と同等または銅よりも電位が高い金属もしくは合金で形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。

IPC (1件)：

H01L 21/60

FI (2件)：

H01L21/60 301A ,  H01L21/60 301P

Fターム (6件)：

5F044AA02 ,  5F044EE04 ,  5F044EE06 ,  5F044EE13 ,  5F044FF06 ,  5F044JJ03