特許

J-GLOBAL ID：200903014334577607

p-nヘテロ接合を有する赤外発光ダイオード及びその製造方法

発明者： 倉田 一宏 ,  甲田 満 ,  富田 祐志
出願人/特許権者： 日新製鋼株式会社
代理人 (1件)： 小橋 信淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-217276
公開番号（公開出願番号）：特開平6-045646
出願日： 1992年07月23日
公開日（公表日）： 1994年02月18日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 外部発光効率,内部量子効率等に優れた高性能の赤外発光ダイオードを得る。【構成】 GaAs結晶基板1の上に、n型GaAs層,p型GaAs層3を常法によってエピタキシャル成長させる。n型GaAs層は、省略することもできる。p型GaAs層3の上に更にn型Ga1-x Alx As混晶層7を成長させ、p型GaAs層3との間にp-nヘテロ接合8を形成する。n型混晶層7の上には、更にn+型層9を成長させても良い。n型混晶層7のエッチング除去,Znの選択拡散によるn型混晶層7のp型への変換,逆方向電流の通電によるp-nヘテロ接合8の降伏破壊等によって、p型層3に至る非整流性電流通路12を形成し、n型及びp型に対するオーミック電極5,6を取り付ける。

請求項（抜粋）：

GaAs基板結晶の上に設けられ、Siのヘビードープによるディープアクセプターをもつp型GaAs層と、該p型GaAs層に重畳して設けられ、Si以外のTe,S,Se,Sn等のシャロードナーをドープしたGa1-x Alx Asからなるn型混晶層と、前記p型GaAs層と前記混晶層との間に形成されたp-nヘテロ接合と、該p-nヘテロ接合の一部を消滅又は破壊して形成され、チップ表面から前記p型層に至る非整流性電流通路とを備えていることを特徴とするp-nヘテロ接合を有する赤外発光ダイオード。