特許
J-GLOBAL ID：200903014334624630

電荷結合素子及びその製造法

発明者：
川上 幸也

川上 幸也 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 稲垣 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-104442
公開番号（公開出願番号）：特開2001-291859
出願日： 2000年04月06日
公開日（公表日）： 2001年10月19日
要約：
【要約】【課題】 蓄積電荷容量の増加と高光感度化を同時に満たすことができる電荷結合素子を提供する。【解決手段】 N型半導体基板1上にP型半導体層11を持ち、P型半導体層上にN型半導体層1を持ち、このN型半導体層上に、両側をP型素子分離領域2に挟まれたN型電荷蓄積層3を備え、電荷蓄積層及び素子分離領域上に絶縁膜4を介して導電体5からなる電極を備えた電荷結合素子において、P型半導体層上のN型半導体層とN型電荷蓄積層との間に、P型不純物領域6を設ける。
請求項（抜粋）：
第一導電型からなる半導体基板上に第二導電型半導体層を持ち、該第二導電型半導体層上に第一導電型半導体層を持ち、該第一導電型半導体層上に、両側を第二導電型からなる素子分離領域に挟まれた第一導電型からなる電荷蓄積層を備え、電荷蓄積層及び素子分離領域上に絶縁膜を介して導電体からなる電極を備えた電荷結合素子において、前記第二導電型半導体層上の第一導電型半導体層と第一導電型からなる電荷蓄積層との間に、第二導電型からなる不純物領域が存在することを特徴とする電荷結合素子。
IPC (2件)：
H01L 27/148 ,  H04N 5/335
FI (3件)：
H04N 5/335 F ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 B
Fターム (13件)：
4M118AA01 ,  4M118AA02 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA08 ,  4M118BA12 ,  4M118CA08 ,  4M118FA06 ,  4M118FA40 ,  5C024CX41 ,  5C024CX43 ,  5C024CY47 ,  5C024GY01
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (1件)
  • 固体撮像素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-303065   出願人：株式会社日立製作所

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