特許
J-GLOBAL ID：200903014336793544
薄膜多層配線基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-091076
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302955
出願日： 1993年04月19日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】セラミック基板上に薄膜多層配線を形成する電子材料部品において、セラミック基板上に設けた金属パターンを保護する為に、薄膜中の有機絶縁膜を利用し少なくとも2層以上の保護膜を形成し、金属パターン露出工程でこれを一括除去する製造方法。【構成】セラミック基板1上に形成された配線パターン引き出し用パッド3と気密封止メタライズ4において、配線パターン引き出し用パッド3上に薄膜多層配線を形成。この際、薄膜中の有機絶縁膜6を気密封止メタライズ4上に少なくとも2層以上積層。気密封止メタライズ4露出工程にて薄膜形成部全面にネガ型レジスト膜を施し少なくとも2層以上の有機絶縁膜6から成る保護膜をエッチングにより一括除去する。
請求項（抜粋）：
基板上に有機絶縁膜と金属配線パターンから成る薄膜多層配線を形成する際、同時に非薄膜形成部にも少なくとも2層以上の有機絶縁膜を形成し、その後非薄膜形成部上の有機絶縁膜を一括除去することを特徴とする薄膜多層配線基板の製造方法。
IPC (3件)：
H05K 3/46
, H05K 3/06
, H05K 3/28
