特許
J-GLOBAL ID：200903014343380182
半導体光検知器
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-020009
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218377
出願日： 1992年02月05日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】【目的】 ヘテロエピタキシャル層を有する半導体光検知器であって、信号処理回路と化合物半導体層に形成された受光部の熱膨張係数の差に起因するウエハの歪を緩和し、ヒートサイクルに強く高信頼性のモノリシック型半導体光検知器を得る。【構成】 複数の信号入力部を有する信号処理回路1aが形成されたSi基板1と、このSi基板1の少なくとも前記各信号処理回路1a部分を覆う絶縁膜10と、前記Si基板1と絶縁膜10を覆う単結晶Si層41と、この単結晶Si層41上に形成された複数の化合物半導体層と、前記化合物半導体層に形成された複数の受光部とからなることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
複数の信号入力部を有する信号処理回路が形成されたSi基板と、このSi基板の少なくとも前記各信号処理回路部分を覆う絶縁膜と、前記Si基板と絶縁膜を覆うSi層と、このSi層上に形成された複数の化合物半導体層と、前記化合物半導体層に形成された複数の受光部と、これらの受光部と信号処理回路の複数個の信号入力部とが接続電極により接続されていることを特徴とする半導体光検知器。
IPC (4件)：
H01L 27/14
, H01L 27/00 301
, H01L 27/146
, H01L 31/10
H01L 27/14 Z
, H01L 27/14 F
, H01L 31/10 A
