特許

J-GLOBAL ID：200903014346473858

集積回路の中の導電素子を相互に接続する方法とシステム

発明者： 宮井 羊一
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-000670
公開番号（公開出願番号）：特開平11-251430
出願日： 1999年01月05日
公開日（公表日）： 1999年09月17日
要約：

【要約】【課題】 集積回路の中の導電素子を相互に接続する方法とシステムを提供する。【解決手段】 本発明の方法は、下側導電素子14の隣接する部分26の幅よりも実質的に大きくない幅24を有する下側接触部22を備えた下側導電素子14を作成する段階を有する。下側導電素子14の外側に、第1絶縁体層18が作成される。第1絶縁体層18の外側に、上側導電素子16が作成される。上側導電素子16は、上側導電素子16の隣接する部分32の幅よりも実質的に大きくない幅30を備えた上側接触部28を有する。第1絶縁体層18および上側導電素子16の外側に、第2絶縁体層20が作成される。第1絶縁体層18および第2絶縁体層20の中に接触体ホール40が作成され、それにより下側接触部22の下側接触領域42および上側接触部28の上側接触領域44が露出する。接触体ホール40の中に、下側導電素子14の接触領域42と上側導電素子16の接触領域44とを接続する相互接続体54が作成される。

請求項（抜粋）：

下側導電素子の隣接する部分の幅よりも実質的に大きくない幅を備えた下側接触部を有する下側導電素子を作成する段階と、前記下側導電素子の外側に第1絶縁体層を作成する段階と、上側導電素子の隣接する部分の幅よりも実質的に大きくない幅を備えた上側接触部を有する上側導電素子を前記第1絶縁体層の外側に作成する段階と、前記第1絶縁体層および前記上側導電素子の外側に第2絶縁体層を作成する段階と、前記下側接触部の下側接触領域および前記上側接触部の上側接触領域を露出する接触体ホールを前記第1絶縁体層および前記第2絶縁体層の中に作成する段階と、前記下側導電素子および前記上側導電素子の前記接触領域を接続する前記接触体ホールの中に、前記下側導電素子と前記上側導電素子との間に実質的に均一な幅を有する相互接続体を作成する段階と、を有する集積回路の導電素子を相互に接続する方法。