特許
J-GLOBAL ID:200903014346796789
イオン照射装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
山本 惠二
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-270061
公開番号(公開出願番号):特開平5-082075
出願日: 1991年09月20日
公開日(公表日): 1993年04月02日
要約:
【要約】【目的】 基板近傍のプラズマ電位の制御、ひいては基板の表面電位の制御を可能にし、それによって基板の帯電防止を効果的に行うことができるようにしたイオン照射装置を提供する。【構成】 真空容器2内に、導電性のものであって、少なくとも基板台4の周りからその上流側にかけての部分を取り囲む内張り42を真空容器2から電気的に絶縁して設けた。かつ、この内張り42の電位を制御する電位制御電源44を設けた。
請求項(抜粋):
イオン源から引き出したイオンビームを真空容器内の基板台に載せた基板に照射するものであって、イオンビーム照射と共にプラズマを基板近傍に発生させるようにしたイオン照射装置において、前記真空容器内に、導電性のものであって、少なくとも前記基板台の周りからその上流側にかけての部分を取り囲む内張りを真空容器から電気的に絶縁して設け、かつこの内張りの電位を制御する電位制御電源を設けたことを特徴とするイオン照射装置。
IPC (4件):
H01J 37/317
, C23C 14/00
, H01J 37/32
, H01L 21/265
引用特許:
審査官引用 (3件)
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特開平3-102755
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特開昭58-071546
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特開昭63-224139
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