特許
J-GLOBAL ID：200903014351497595
エッチング処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-146388
公開番号（公開出願番号）：特開平6-168914
出願日： 1992年05月13日
公開日（公表日）： 1994年06月14日
要約：
【要約】【目的】 HFガスを用いた異方性エッチング・プロセスの提供。【構成】 露点温下でHFガスを使用して、SiO2 をエッチングすることにより、反応生成物の重合しない異方性の高いエッチング・プロセスが得られる。
請求項（抜粋）：
真空容器内に被処理体を搬入する工程と、上記被処理体をエッチング反応時に生成する反応生成物の少なくとも一種がエッチング側壁に付着する温度以下に冷却する工程と、上記真空容器内に少なくともHFガスを含む処理ガスを供給する工程と、上記処理ガスをプラズマ化する工程とを具備してなることを特徴とするエッチング処理方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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