特許

J-GLOBAL ID：200903014354618547

CMPパッド及びそれを用いた基板の研磨方法

発明者： 羽廣 昌信 ,  西山 雅也 ,  中川 宏
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-078158
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280335
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 層間絶縁膜、BPSG膜、シャロー・トレンチ分離用絶縁膜等の酸化珪素等絶縁膜及びキャパシタ強誘電体膜、配線用金属や金属合金等の平坦化及び埋め込み層を形成するCMP技術において、被研磨膜の研磨を効率良く、高速に、かつプロセス管理も容易に行うことができるCMPパッド及び研磨方法を提供する。【解決手段】 基板上に形成されている被研磨膜を化学機械的に研摩するためのCMPパッドであって、該パッド表面に微小突起が配列され、該微小突起の凸部上面の面積が0.25mm2以下であるCMPパッド。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されている被研磨膜を化学機械的に研摩するためのCMPパッドであって、該パッド表面に微小突起が配列され、該微小突起の凸部上面の面積が0.25mm2以下であることを特徴とするCMPパッド。

IPC (3件)：

H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 ,  B24B 37/00

FI (3件)：

H01L 21/304 622 F ,  H01L 21/304 622 X ,  B24B 37/00 C

Fターム (7件)：

3C058AA09 ,  3C058AC04 ,  3C058CB03 ,  3C058CB04 ,  3C058CB10 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17