特許

J-GLOBAL ID：200903014356535444

半導体装置

発明者： 上田 一朗 ,  釘宮 公一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-030726
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226715
出願日： 1992年02月18日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板の上に電極層と強誘電体層を備え、前記電極層と強誘電体薄膜との間に金属酸化物層を備えたことにより、強誘電体の組成の変成または拡散を防ぐ。【構成】 半導体基板1の表面に電極層2を形成し、その表面に金属酸化物層3を形成し、その表面に強誘電体薄膜4を形成する。金属酸化物層3の厚さは好ましくは数10nm程度である。また金属酸化物層3はBa,Srなどの酸化物層を用いる。強誘電体薄膜4はPbTiO3 ,Pb(ZrTi)O3 ,(PbLa)(ZrTi)O3 などである。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に電極層と強誘電体薄膜を備えた半導体装置であって、前記電極層と強誘電体薄膜との間に金属酸化物層を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 41/02 ,  H01L 37/02