特許

J-GLOBAL ID：200903014356775950

強化された高分子電池用のスルホン化ポリフェニレンオキシドに基づくブレンド膜

発明者： イスラエル・カバッソ ,  ユーシン・ユアーン ,  コートニー・ミッテルステッド
出願人/特許権者： リサーチファウンデーション・オブ・ザ・ステートユニバーシティ・オブ・ニューヨーク
代理人 (1件)： 藤元 亮輔
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-524342
公開番号（公開出願番号）：特表2002-502539
出願日： 1996年12月16日
公開日（公表日）： 2002年01月22日
要約：

【要約】単独又はポリフッ化ビニリデンと様々な割合でブレンドされた高電荷密度スルホン化ポリフェニレンオキシドからなる固体高分子膜は改良された膜の特徴を有している。これらの膜は大変高いイオン導電率を有し、安価で、電気化学的適用における固体高分子電解質、特に、高分子電解質膜(PEM)燃料電池に適している。この膜を有するPEM燃料電池アッセンブリは、強化された性能を有する。

請求項（抜粋）：

イオン交換高分子膜を含む高分子電解質膜において、前記イオン交換膜がスルホン化ポリフェニレンオキシド又はポリフッ化ビニリデンにブレンドされたスルホン化ポリフェニレンオキシドから構成され、前記スルホン化ポリフェニレンオキシドは、以下の循環単位によって特徴づけられる化学構造を有し、ここでR1及びR2は、各々、H、SO3H、SO3Mからなるグループから選択され、Mはアルカリ金属、アルカリ土類金属及び遷移金属からなるグループから選択された金属であり、nは40よりも大きな整数であり、前記スルホン化ポリフェニレンオキシドは約15,000乃至約10,000,000の数平均分子量と約1乃至約3.9meq/gのイオン電荷密度を有し、前記ポリフッ化ビニリデンは約10,OC00乃至約10,000,000の数平均分子量を有し、前記ブレンド中の前記スルホン化ポリフェニレンオキシドの前記ポリフッ化ビニリデンに対する重量比は約1対1乃至約20対1である改良。

IPC (3件)：

H01M 8/02 ,  H01M 8/10 ,  H01M 10/40

FI (4件)：

H01M 8/02 P ,  H01M 8/02 E ,  H01M 8/10 ,  H01M 10/40 B