特許
J-GLOBAL ID：200903014357028015
ダイヤモンド合成法及びそれに用いる合成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-265179
公開番号（公開出願番号）：特開平5-097581
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年04月20日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 本発明は、種々の膜質のダイヤモンド薄膜を容易に、しかも安定して合成することのできるダイヤモンド薄膜合成法とそれに用いられる合成装置を得ること。【構成】 ダイヤモンド薄膜を合成する気相成長部(30)は膜質制御部(31)に接続されており、この気相成長部(30)には開口(13)、(13 ́)が設けられている。膜質制御部(31)からのレーザ光(12)は、この開口(13)を通過して反応管(5)内に設置されている基体(8)上に照射され、また基体(8)からの散乱光・発光(14)は、開口(13 ́)を通過することによって観測されるようになっている。膜質制御部(31)には、この散乱光もしくは発光(14)を観測して検出する分光器(15)及び光検出器(16)が設けられ、さらに、その光検出器(16)で得られた結果を処理してダイヤモンド薄膜の合成条件を制御するデータ処理装置(17)が設置されている。
請求項（抜粋）：
気相成長法により基板上にダイヤモンド薄膜を合成する際、該ダイヤモンド薄膜に光を照射し、該ダイヤモンド薄膜からの光を検出して成膜条件を制御しながら合成することを特徴とするダイヤモンド合成法。
IPC (3件)：
C30B 29/04
, C30B 25/02
, C30B 25/16
