特許
J-GLOBAL ID：200903014357347781
半導体レーザ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-147427
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340885
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：
【要約】【課題】電流阻止層の開口部に形成される埋込み層の、高次の結晶面方位方向の異常成長のない半導体レーザを提供することを目的とする。【解決手段】InGaAlP系半導体レーザにおいて、ストライプ状の開口部を有する電流阻止層8と、電流阻止層8上に形成されたp型埋め込み層9とを具備し、電流阻止層8の層厚は0.1〜0.5μmであることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
n型半導体層と、前記n型半導体層上に形成された活性層と、前記活性層上に形成された第一のp型半導体層と、前記第一のp型半導体層上に形成され、ストライプ状の開口部を有し、且つ第一のp型半導体層よりエネルギーギャップが大きく、屈折率が小さい半導体により形成された電流阻止層と、前記開口部上及び前記電流阻止層上に形成された第二のp型半導体層と、を具備し、前記電流阻止層は層厚が0.1μm以上0.5μm以下であることを特徴とする半導体レーザ。
Fターム (7件)：
5F073AA09
, 5F073AA51
, 5F073AA54
, 5F073AA74
, 5F073CA13
, 5F073DA05
, 5F073DA21
