特許
J-GLOBAL ID：200903014357352815
半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-295362
公開番号（公開出願番号）：特開平5-258599
出願日： 1991年11月12日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：
【要約】【目的】メモリの大容量化に伴い単位ビット当りにかかるストレスが軽減されてくるのをバーンイン時間を延ばすことなくしかも従来と同等のストレスが加わるようにする。【構成】2つの2入力論理積回路2および3とこれらの出力信号を2入力とする論理和回路4とによって、バーンインモード設定信号BTMがハイレベルの時に、通常動作時のメモリアクセスクロック信号CLK1と従来の半導体記憶装置ではバーンイン時のメモリアクセスに用いられていたクロック信号CLK2との排他的論理和をとって周波数を2倍にし、バーンイン時のメモリアクセスクロック信号CLK3として出力する回路を設ける。
請求項（抜粋）：
バーンインモードであるか否かを判定し、メモリアクセスクロックの周波数を切り替える回路を有することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 29/00 303
, G01R 31/318
, G06F 1/04 301
, H01L 21/66
, H01L 27/10 481
