特許

J-GLOBAL ID：200903014358355664

T形断面のレジストパターンおよびその製造方法ならびに磁気抵抗効果型薄膜素子

発明者： 上島 聡史
出願人/特許権者： ティーディーケイ株式会社
代理人 (1件)： 石井 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-215216
公開番号（公開出願番号）：特開平9-096909
出願日： 1996年07月26日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：

【要約】【課題】 磁気抵抗効果型薄膜素子の電極パターン等を形成する際の不良品率を極めて低く抑えるために、良好なコントラストのT形断面を有するレジストパターンを提供する。【解決手段】 画像反転対応ポジ型レジストを用いて形成された均質なレジストパターンであって、断面110がT形状であり、その横バー部分下縁116の接線と基板表面122とがなす最小角をαとし、横バー部分最外側縁118から下ろした垂線と基板表面との交点Woと、縦バー部分112側縁と基板表面との接点Wiとの中間での横バー部分下縁116と基板表面との間隔をhとしたとき、h-αグラフにおいてαおよびhが、A:α= 0°、h=0.01μm 、B:α=20°、h=0.01μm 、C:α=20°、h=0.2μm 、D:α= 0°、h=0.3μm を通る四辺形内(辺上を含む)に存在する。

請求項（抜粋）：

アルカリ可溶性フェノール樹脂とナフトキノンジアジドとの混合物を含有するポジ型レジストにネガティブワーキング化剤が添加されて画像反転機能が付与されたレジスト剤を用いて形成された実質的に均質なレジストパターンであり、断面形状が、基板表面から上に延び実質的にT形の縦バー部を構成する縦バー部分と、この縦バー部分に連続し基板表面に対して間隔を置いた状態で横に延び実質的にT形の横バー部を構成する横バー部分とを備えるT形状であり、前記断面形状において、横バー部分下縁の接線と基板表面とのなす角のうちの最小値をαとし、横バー部分最外側縁から基板表面に下ろした垂線と基板表面との交点Woと、前記最外側縁側の縦バー部分側縁と基板表面とが接する点Wiとの中間位置における横バー部分下縁と基板表面との間隔をhとしたとき、h-αグラフにおいてαおよびhがA:α= 0°、h=0.01μm 、B:α=20°、h=0.01μm 、C:α=20°、h=0.2μm 、D:α= 0°、h=0.3μmの4点をこの順で結んだ四辺形で囲まれた範囲内(辺上を含む)に存在するT形断面のレジストパターン。

IPC (7件)：

G03F 7/26 513 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/306 ,  H01L 43/08

FI (7件)：

G03F 7/26 513 ,  G03F 7/022 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 43/08 D ,  H01L 21/302 C ,  H01L 21/306 D

引用特許：

審査官引用 (1件)

• フォトレジストパターンの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-225406   出願人：株式会社東芝