特許

J-GLOBAL ID：200903014366261890

III族窒化物結晶の成長方法

発明者： 佐藤 史隆 ,  中畑 成二
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-006854
公開番号（公開出願番号）：特開2009-167053
出願日： 2008年01月16日
公開日（公表日）： 2009年07月30日
要約：

【課題】簡便に効率よく転位密度の低いIII族窒化物結晶を成長させる方法を提供する。【解決手段】本III族窒化物結晶の成長方法は、少なくとも主面10m側にIII-V族化合物種結晶10aを含む基板10を準備する工程と、気相エッチングにより基板10の主面10mに複数のファセット10ms,10mt,10muを形成する工程と、ファセット10ms,10mt,10muが形成された主面10m上にIII族窒化物結晶20を成長させる工程と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一主面を有するIII族窒化物種結晶を含む基板を準備する工程と、 気相エッチングにより前記基板の前記主面に複数のファセットを形成する工程と、 前記ファセットが形成された前記主面上にIII族窒化物結晶を成長させる工程と、を備えるIII族窒化物結晶の成長方法。

IPC (5件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/02 ,  H01L 21/205

FI (5件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C23C16/34 ,  C23C16/02 ,  H01L21/205

Fターム (38件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077TB03 ,  4G077TC17 ,  4G077TK01 ,  4G077TK06 ,  4G077TK10 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030DA04 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030KA02 ,  4K030LA14 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC03 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045BB13 ,  5F045DP07 ,  5F045DQ06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特再表WO98/047170号公報
  

審査官引用 (1件)

• 車両用照明システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-027335   出願人：豊田合成株式会社