特許

J-GLOBAL ID：200903014368513314

炭素膜形成方法及び装置

発明者： 中東 孝浩 ,  和泉 ▲吉▼浩
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-093776
公開番号（公開出願番号）：特開平10-088359
出願日： 1997年04月11日
公開日（公表日）： 1998年04月07日
要約：

【要約】【目的】成膜用原料ガスを高周波電力印加によりプラズマ化し、このプラズマのもとで被成膜物品上に炭素膜を形成する方法及び装置であって、成膜速度並びに形成される炭素膜の硬度及び内部応力を任意に制御することができるとともに、パーティクルの発生を抑制することができる炭素膜形成方法及び装置を提供する。【構成】真空状態の成膜容器1内で、炭素膜形成のための成膜用原料ガスを高周波電力印加によりプラズマ化し、このプラズマのもとで被成膜物品S上に炭素膜を形成する炭素膜形成方法において、真空度を変化させながら成膜を行う炭素膜形成方法及び装置。

請求項（抜粋）：

真空状態下で、炭素膜形成のための成膜用原料ガスを高周波電力印加によりプラズマ化し、該プラズマのもとで被成膜物品上に炭素膜を形成する炭素膜形成方法において、真空度を変化させながら成膜を行うことを特徴とする炭素膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C 16/50 ,  C01B 31/02 101 ,  C23C 16/26

FI (3件)：

C23C 16/50 ,  C01B 31/02 101 Z ,  C23C 16/26