特許
J-GLOBAL ID:200903014368947870

半導体集積回路の実装方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井桁 貞一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-206656
公開番号(公開出願番号):特開平5-048001
出願日: 1991年08月19日
公開日(公表日): 1993年02月26日
要約:
【要約】【目的】 半導体ICの実装方法に関し、ICチップ間の配線距離を可能な限り縮小することを目的とする。【構成】 ICチップの電極端子ピッチに等しいピッチで複数の貫通電極が形成されており、また、必要とする貫通電極と接続する外部接続電極を備えて形成されている配線シートの表裏面にICチップを向い合せて装着してモジールを作り、このモジールを構成単位として配線基板に装着することを特徴として半導体集積回路の実装方法を構成する。
請求項(抜粋):
ICチップの電極端子ピッチに等しいピッチで複数の貫通電極が形成されており、また必要とする貫通電極と接続する外部接続電極を備えて形成されている配線シートの表裏面にICチップを向い合せて装着してモジールを作り、該モジールを構成単位として配線基板に装着することを特徴とする半導体集積回路の実装方法。
IPC (3件):
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

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