特許

J-GLOBAL ID：200903014370180489

加圧接触型半導体装置及びこれを用いた電力変換器

発明者： 児玉 弘則 ,  加藤 光雄 ,  沢畠 守
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-347543
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186299
出願日： 1997年12月17日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】本発明は、加圧接触型半導体装置において、特に半導体素子とパッケージ電極間の均一な接触状態を確保し、かつ熱抵抗,電気抵抗を低減する方法を提供する。【解決手段】両面に露出する一対の共通電極板の間を絶縁性の外筒により外部絶縁した平型パッケージの中に、第一主面に少なくとも第一の主電極、第二主面に第二の主電極を有する複数個の半導体素子を並置して組み込んだ加圧接触型半導体装置の該半導体素子と共通電極板の電極間、または該半導体素子の各主面上に配置した中間電極板と共通電極板との間に細線状に加工した軟質金属またはその集合体を配置する。

請求項（抜粋）：

両面に露出する一対の共通電極板の間を絶縁性の外筒により外部絶縁した平型パッケージの中に、第一主面に少なくとも第一の主電極、第二主面に第二の主電極を有する複数個の半導体素子を並置して組み込んだ半導体装置であって、該半導体素子と共通電極板の電極間に細線状に加工した軟質金属またはその集合体を配置したことを特徴とする加圧接触型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/52 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 21/52 J ,  H01L 29/74 L ,  H01L 29/78 652 Q ,  H01L 29/78 655 F