特許
J-GLOBAL ID：200903014374208728
光磁気記録媒体の記録再生方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-055348
公開番号（公開出願番号）：特開平7-262643
出願日： 1994年03月25日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 磁性層に交換二層膜を用いるオーバーライト可能な光磁気記録方法において、再生時に印加する磁界、照射するレーザービームを常に最適条件に保つことによって、安定な超解像再生が可能な光磁気記録媒体の再生方法を提供することを目的とする。【構成】 磁性層に交換二層膜を用いるオーバーライト可能な光磁気記録方法において、情報の再生に先だって記録情報に対応する最短マークピットを少なくとも含むピット列を光磁気記録媒体の所定の場所に記録し、印加磁界及び再生レーザパワーを変化させながら該ピット列を再生し、このときの再生信号を検知することにより印加磁界と再生レーザパワーとの最適な組合せを決定して再生条件とすることを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。
請求項（抜粋）：
基板上に少なくとも第1磁性層及び第2磁性層を順次積層して次の条件、【数1】H<SB>c2</SB>>H<SB>c1</SB> (1)【数2】H<SB>c2</SB>>σw/(2M<SB>s2</SB>h<SB>2</SB>) (2)【数3】H<SB>c1</SB>>σw/(2M<SB>s1</SB>h<SB>1</SB>) (3)【数4】T<SB>r</SB><T<SB>comp1</SB><T<SB>c1</SB> (4)(上記各式中、H<SB>c1</SB>及びH<SB>c2</SB>は各々第1磁性層、第2磁性層の保磁力、σwは第1磁性層と第2磁性層との間の界面磁壁エネルギー、M<SB>s1</SB>及びM<SB>s2</SB>は各々第1磁性層、第2磁性層の飽和磁化、h<SB>1</SB>及びh<SB>2</SB>は各々第1磁性層、第2磁性層の膜厚、T<SB>r</SB>は室温、T<SB>comp1</SB>は第1磁性層の補償温度、T<SB>c1</SB>は第1磁性層のキュリー温度を表す。)を満たしてなる光磁気記録媒体に(1)外部の磁界により、第1磁性層の磁気モーメントの方向を一定方向に揃え、該磁界と同一方向に記録バイアス磁界をかけながら第1磁性層と第2磁性層との間に界面磁壁が存在しない状態を得る低いレーザパワー照射、及び(2)外部の磁界により、第1磁性層の磁気モーメントの方向を一定方向に揃え、該磁界と同一方向に記録バイアス磁界をかけながら第1磁性層と第2磁性層との間に界面磁壁が存在する状態を得る高いレーザパワー照射を行なうことによって、記録された2値情報を再生する方法において、記録情報の再生に先立って、記録情報に対応する最短マークピットを少なくとも含むピット列を光磁気記録媒体の所定の場所に記録し、印加磁界及び再生レーザパワーを変化させながら該ピット列を再生し、このときの再生信号を検知することにより印加磁界と再生レーザパワーとの最適な組合せを決定して再生条件とすることを特徴とする光磁気記録媒体の再生方法。
IPC (3件)：
G11B 11/10 586
, G11B 11/10 506
, G11B 11/10 571
