特許
J-GLOBAL ID：200903014376668114
熱電変換素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高畑 正也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-256465
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094787
出願日： 1993年09月20日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 炭化珪素の多孔質成形体からなる安定材質と優れた変換効率を備える高性能な熱電変換素子を提供する。【構成】 気孔率が各65〜95%の範囲にあるp型半導体およびn型半導体の多孔質炭化珪素成形体を接合してなる熱電変換素子。
請求項（抜粋）：
気孔率が各65〜95%の範囲にあるp型半導体およびn型半導体の多孔質炭化珪素成形体を接合してなることを特徴とする熱電変換素子。
IPC (2件)：
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