特許

J-GLOBAL ID：200903014383552687

チップ型セラミックサ-ミスタ

発明者： 福山 淳一 ,  久保田 格
出願人/特許権者： 太陽誘電株式会社
代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242063
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074005
出願日： 1993年09月02日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】 静電容量の小さいチップ型セラミックサーミスタを提供する。【構成】 NTCチップ型サーミスタのセラミック基体1の中に内部電極2、3を設けると共に、静電容量低減用電極21〜24を設ける。セラミック基体1の側面には耐酸性絶縁膜6を設ける。セラミック基体1の一対の端面9、10及び側面の一部に第1及び第2の外部電極4、5を設ける。絶縁膜6を静電容量低減用電極21〜24と外部電極側面延在部分4a、5aで挟むことによって絶縁膜6の両側の電位をほぼ等しくする。

請求項（抜粋）：

一対の端面と側面とを有するサーミスタ用セラミック基体と、前記セラミック基体の側面に形成された絶縁膜と、前記セラミック基体の一対の端面及び前記絶縁膜を介して前記側面上の一部に設けられた一対の電極とを有するチップ型セラミックサーミスタにおいて、前記一対の電極の前記絶縁膜の上に形成された側面延在部分に前記絶縁膜を介して対向していると共に前記一対の電極に接続されている静電容量低減用電極が設けられ、前記静電容量低減用電極は前記サーミスタセラミック基体に埋設され、前記静電容量低減用電極と前記絶縁膜との間隔が前記一対の電極の相互間隔よりも小さく設定されていることを特徴とするチップ型セラミックサーミスタ。