特許

J-GLOBAL ID：200903014399643984

半導体光電子集積素子及びその製造方法

発明者： 鈴木 良治 ,  樋口 恵一
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-041772
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242448
出願日： 1997年02月26日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】段差を有する基板を用いることなく、同一の半導体基板上に集積化されている多層結晶構造中、光素子と電子素子の夫々の一部を構成する段差のない連続した同一組成の層を活性層とし、製作工程を容易にした半導体光電子集積素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体光電子集積素子には、光素子10と電子素子11とが同一の半絶縁性基板21上に集積化される。このような半導体光電子集積素子に、同時の連続的な結晶成長で形成された多層結晶構造中の少なくとも一部の積層から前記光素子10と前記電子素子11との素子構造が形成され、且つ前記光素子10と前記電子素子11の夫々の一部を構成する連続した同一組成の層を活性層23としている。

請求項（抜粋）：

光素子と電子素子とが同一の半導体基板上に集積化されている半導体光電子集積素子において、1回の連続的な結晶成長で形成された多層結晶構造中の少なくとも一部の積層から前記光素子と前記電子素子との素子構造が形成され、且つ前記光素子と前記電子素子の夫々の一部を構成する連続した同一組成の層を活性層としていることを特徴とする半導体光電子集積素子。

IPC (3件)：

H01L 27/15 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (3件)：

H01L 27/15 B ,  H01L 33/00 A ,  H01S 3/18