窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-234684
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094782
出願日： 1993年09月21日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：

【要約】【目的】 p層を発光観測面側とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の外部量子効率を向上させると共に、主としてワイヤーボンディング時にp層の電極、およびボンディング用の電極の剥がれをなくして信頼性に優れた発光素子を提供する。【構成】 p型窒化ガリウム系化合物半導体層(3)表面のほぼ全面に、透光性の第一の電極(11)が形成されていると共に、前記第一の電極(11)には、その第一の電極(11)の一部を貫通した窓部(13)が形成されており、さらに前記窓部(13)には、第一の電極(11)と電気的に接続されたボンディング用の第二の電極(12)が形成されており、さらにまた前記第二の電極(12)は第一の電極(11)よりも強固にp型窒化ガリウム系化合物半導体層(3)に接着されている。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板(1)の上に少なくともn型窒化ガリウム系化合物半導体層(2)と、p型窒化ガリウム系化合物半導体層(3)とが順に積層されており、そのp型窒化ガリウム系化合物半導体層(3)側を発光観測面とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記p型窒化ガリウム系化合物半導体層(3)表面のほぼ全面に、透光性の第一の電極(11)が形成されていると共に、前記第一の電極(11)には、その第一の電極(11)の一部を貫通した窓部(13)が形成されており、さらに前記窓部(13)には、第一の電極(11)と電気的に接続されたボンディング用の第二の電極(12)が形成されており、さらにまた前記第二の電極(12)は第一の電極(11)よりも強くp型窒化ガリウム系化合物半導体層(3)に接着されていることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 , H01L 21/324

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