半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：深見久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-342092
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196480
出願日： 1992年12月22日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】セルフアラインコンタクト構造を有する半導体装置において基板表面の平坦性を向上させる。【構成】ゲート電極3aおよび3b上にエッチングストッパ層10aおよび10bを形成する。

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基板と、前記半導体基板の主表面上の所定領域に第1の絶縁膜を介して形成された第1の導電層と、前記第1の導電層の上部表面上に形成されたエッチングストッパ層と、前記半導体基板と前記エッチングストッパ層の一部とを覆うように形成され、前記半導体基板の所定領域上に開口を有する第2の絶縁膜と、前記開口内で前記半導体基板表面と電気的に接続されるとともに、前記エッチングストッパ層上に沿って延びるように形成された第2の導電層とを備えた、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/302 , H01L 21/90 , H01L 21/336 , H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/88 C , H01L 29/78 301 Y

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