特許

J-GLOBAL ID：200903014413270959

セラミック配線基板、それを用いた部品実装済み配線基板、及びそれらの製造方法

発明者： 折口 誠
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-275045
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111803
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】パッドの半田接合の確実性を損なうことなく、半田ブリッジングを効果的に防止できるセラミック配線基板を提供する。【解決手段】セラミック配線基板は、電子部品100を半田接続部102を介して面実装するために、基板本体3の主表面に、各々金属配線層と導通する基板側端子パッド155が複数配列した形で形成される。基板側端子パッド155は、最表層部を形成する第一金属層155aと、該第一金属層155aに対し内層側に接して形成される該第一金属層155aよりも卑な金属よりなる第二金属層155nとを有する。基板側端子パッド155の主表面には第一金属層155aよりなる半田結合領域156が形成され、さらに、該半田結合領域156の周囲にて第一金属層155aを溝状又は孔列状に除去することにより第二金属層155nを露出させ、かつその露出した第二金属層155nの表面を酸化皮膜158で覆うことにより半田ブロック部157が形成されている。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

セラミック誘電体層と金属配線層とが積層された基板本体と、 電子部品を半田接続部を介して面実装するために、前記基板本体の主表面に形成された、前記金属配線層と導通する基板側端子パッドとを有し、 前記基板側端子パッドは、最表層部を形成する第一金属層と、該第一金属層に対し内層側に接して形成される該第一金属層よりも卑な金属よりなる第二金属層とを有し、前記基板側端子パッドの主表面には前記第一金属層よりなる半田結合領域が形成され、さらに、該半田結合領域の周囲にて前記第一金属層を溝状又は孔列状に除去することにより前記第二金属層を露出させ、かつその露出した第二金属層の表面を酸化皮膜で覆うことにより半田ブロック部が形成されたことを特徴とするセラミック配線基板。

IPC (5件)：

H01L23/12 ,  H05K1/09 ,  H05K3/24 ,  H05K3/34 ,  H05K3/46

FI (8件)：

H01L23/12 N ,  H05K1/09 C ,  H05K3/24 A ,  H05K3/34 501F ,  H05K3/46 H ,  H05K3/46 Q ,  H05K3/46 S ,  H01L23/12 D

Fターム (52件)：

4E351AA07 ,  4E351BB01 ,  4E351BB35 ,  4E351CC07 ,  4E351DD04 ,  4E351DD05 ,  4E351DD06 ,  4E351DD19 ,  4E351FF04 ,  4E351FF18 ,  4E351GG08 ,  4E351GG15 ,  5E319AA03 ,  5E319AC04 ,  5E319AC17 ,  5E319BB05 ,  5E319CC33 ,  5E319CD26 ,  5E319GG03 ,  5E319GG05 ,  5E343AA23 ,  5E343BB16 ,  5E343BB23 ,  5E343BB44 ,  5E343DD33 ,  5E343DD43 ,  5E343DD75 ,  5E343ER45 ,  5E343ER47 ,  5E343GG08 ,  5E343GG18 ,  5E346AA15 ,  5E346AA35 ,  5E346AA43 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346CC37 ,  5E346CC38 ,  5E346CC39 ,  5E346DD23 ,  5E346DD34 ,  5E346EE24 ,  5E346EE34 ,  5E346FF18 ,  5E346FF45 ,  5E346GG03 ,  5E346GG06 ,  5E346GG17 ,  5E346GG28 ,  5E346HH07 ,  5E346HH11 ,  5E346HH33