特許

J-GLOBAL ID：200903014425888052

高周波装置

発明者： 田▲邊▼ 充 ,  西辻 充 ,  按田 義治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-242279
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068906
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 ステップなどのエレメントによって発生する寄生インピーダンス成分の影響を抑制して、負荷インピーダンスのずれの少ないインピーダンス変換を実現することができる構成を有する高周波装置を提供する。【解決手段】 高周波装置が、誘電体基板と、該誘電体基板の表面上の第1の領域に形成されている、膜厚Xの第1の誘電体薄膜と、該誘電体基板の表面上において、該第1の領域とそれに隣接する第2の領域とにまたぐように形成されているユニプレーナ型伝送線路と、を備える。前記第1の領域で前記ユニプレーナ型伝送線路が等価的に感じる誘電率の値と、前記第2の領域で該ユニプレーナ型伝送線路が等価的に感じる誘電率の値とが、異なっている。

請求項（抜粋）：

誘電体基板と、該誘電体基板の表面上の第1の領域に形成されている、膜厚Xの第1の誘電体薄膜と、該誘電体基板の表面上において、該第1の領域とそれに隣接する第2の領域とにまたぐように形成されているユニプレーナ型伝送線路と、を備える、高周波装置。

IPC (5件)：

H01P 3/02 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01P 5/02 603 ,  H01P 11/00

FI (4件)：

H01P 3/02 ,  H01P 5/02 603 C ,  H01P 11/00 F ,  H01L 27/04 F

Fターム (3件)：

5F038AZ01 ,  5F038DF02 ,  5F038EZ02