特許
J-GLOBAL ID：200903014429961560

ウェハの中心検出方法、並びに半導体チップのピックアップ方法及び装置

発明者：
辻澤 孝文

辻澤 孝文 について

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平田 修一

平田 修一 について

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成田 正力

成田 正力 について

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仕田 智

仕田 智 について

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本山 貴行

本山 貴行 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 青山 葆 ,  河宮 治 ,  和田 充夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-349836
公開番号（公開出願番号）：特開2004-186306
出願日： 2002年12月02日
公開日（公表日）： 2004年07月02日
要約：
【課題】ウェハの中心及び径を、高い精度でもって容易に検出することが可能であって、上記ウェハの外周端部が外周円を部分的にしか形成しないような部分円状のウェハにも適用可能なウェハの中心検出方法、並びに、半導体チップのピックアップ方法及び装置を提供する。【解決手段】ウェハ1と同一の円弧を有する仮想ウェハの外周端部の一部を含む基準画像データに基づいて、第1から第3の基準画像データD1〜D3を作成し、ウェハの外周端部の画像を撮像して、撮像された夫々の画像と第1から第3の基準画像データとを照合して、互いに合致する夫々の位置を第1から第3の端部位置P1〜P3として検出し、検出された第1から第3の端部位置までの夫々の平面座標に基づいて、ウェハの外周端部により形成される外周円の中心Owの平面座標及びその径を算出する。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
複数の半導体チップ(2)が格子状に配列されるようにダイシングが施されたウェハ(1、61、71)の中心検出方法において、 予め作成された上記ウェハと同一の円弧を有する仮想ウェハ(51)の外周端部の一部を含む第1の基準画像データ(D1)と、上記ウェハの外周端部の撮像された画像とを照合して、互いに合致する位置を第1の端部位置(P1)として検出し、 上記第1の基準画像データが所定の角度だけ回転された第2の基準画像データ(D2)と、上記ウェハの外周端部の撮像された画像とを照合して、互いに合致する位置を第2の端部位置(P2)として検出し、 上記第1の基準画像データが上記所定の角度と異なる角度だけ回転された第3の基準画像データ(D3)と、上記ウェハの外周端部の撮像された画像とを照合して、互いに合致する位置を第3の端部位置(P3)として検出し、 上記検出された第1の端部位置から第3の端部位置までの夫々の上記ウェハの表面沿いの平面座標に基づいて、上記ウェハの外周端部により形成される外周円の中心の上記平面座標及びその径を算出することを特徴とするウェハの中心検出方法。
IPC (2件)：
H01L21/68 ,  H01L21/301
FI (3件)：
H01L21/68 F ,  H01L21/68 E ,  H01L21/78 Y
Fターム (10件)：
5F031CA02 ,  5F031CA13 ,  5F031GA23 ,  5F031JA04 ,  5F031JA22 ,  5F031JA29 ,  5F031JA36 ,  5F031JA51 ,  5F031MA34 ,  5F031MA40
引用特許：
審査官引用 (4件)
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